Исследователи из Фуданьского университета разработали двумерную флеш-память, в которой один бит информации кодируется с помощью всего одного электрона, что позволяет снизить энергопотребление чипов для систем искусственного интеллекта (ИИ). В устройстве используется графен: он предотвращает утечку электронов и усиливает сигнал сохраненного заряда примерно до 0,5 В. Архитектура памяти отличается квантованием напряжения и механизмом самоограничения при записи, что открывает перспективы для создания многоуровневых запоминающих устройств с более высокой плотностью хранения данных. Эта технология, разработанная в Шанхае, может способствовать созданию энергоэффективных ИИ-решений, в том числе для запуска языковых моделей на мобильных устройствах. По словам разработчиков, технология движется к коммерциализации и, вероятно, появится на рынке в ближайшие три–пять лет.
Article Categories:
Технологии
